描述

作品简介:

硅晶片通常导电率高,易于用标准电容式位移传感器测量(见MTI的形式300i)。测量高体电阻率(>10k欧姆/厘米)的GaAs晶片的厚度比较困难,因为这些晶片在电容式传感器测量领域中起着非导电绝缘体的作用。幸运的是,MTI有一个解决这个问题的方法。

解:
测量高电阻率半导体晶圆的厚度和TTV是可能的砷化镓)采用非接触式电容式传感器技术。精度要求被测晶圆片的介电常数或介电常数保持恒定。制造晶圆材料需要控制和测量保持一致;厚度范围必须小于几毫米。
一些可以用MTI测量的半导电材料的例子新的数字AccumeasureTM是蓝宝石,砷化镓,磷化铟和氮化硅半导体晶片。
数字AccumeasureTM与以前的传感器相比有几个独特的优势:
  • 该测量是非接触的,所以是理想的表面不应该被接触
  • â可以执行高度精确的厚度测量,通常可以小于微米(.00004英寸)
  • 一种用于半导体晶圆测量的特殊介质操作模式提供了高度精确的厚度测量
  • 用户可调数字滤波/平滑是可选择的,20,000个样本/秒的速率将满足几乎所有的过程测量应用
  • 容易校准测量绝缘材料的厚度,不知道被测量材料的介电常数,如果你有一个已知厚度的样品
  • 直接读取厚度并将结果发送到运行MTI数字测量TM显示程序的标准PC机上

同样的程序帮助设置测量厚度所需的初始校准,通过几个简单的步骤,很容易遵循。

砷化镓晶片测量

在电容探头和接地面之间放置一个GaAs晶片,就形成了一个电容电路,可以通过分析来确定总厚度

设置很快和简单。
只需确定探头的范围限制(通过调整高度,直到放大器上的指示灯刚刚变成蓝色,在它变成红色之前),并在第一个样品厚度中输入零。按“校准”键,在探头和接地面之间放置一个已知厚度的圆片。现在输入已知的厚度到第二个样品厚度,并校准第二个样品。它存储了介电常数这将用来测量所有剩余的晶圆片。数字AccumeasureTM电容放大器也非常适合测量其他非导电商品,如塑料、玻璃、光盘、纸张和橡胶。

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