描述
用不同化学品测量晶圆的厚度
介绍：
硅晶片通常具有高度导电性且易于用标准电容位移传感器测量（参见MTI的Performa 300i）。测量厚度Gaas晶片具有高散装电阻率（> 10k欧姆/厘米）的较难较难，因为晶片充当了一个非导电绝缘体电容传感器的测量场。幸运的是，MTI对此问题有解决方案。
解：
可以测量厚度和TTV使用非接触电容传感器技术的高电阻率半导体晶片（如GaAs）。精度要求介质常数或允许测量的晶片保持恒定。制造晶片材料需要控制和测量保持一致;厚度范围需要小于几毫米。
半导体材料的一些例子，可以通过MTI的新方法测量数字累积TM值是
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- 蓝宝石
蓝宝石是一个单一的水晶2O.3.用六边形（菱形）晶体结构。蓝宝石晶片和蓝宝石基板可用于C，R，A和M平面方向。
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- gall砷化镓
GaAs在消耗较少的功率时更快地移动电子。想想你的手机。狭小的空间和短的电池寿命。GaAs为某些组件提供了硅的实际优势。
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- 磷化铟铟
磷化铟（INP）是一种关键半导体材料，使光学系统能够提供数据中心，移动回程，地铁和长途应用所需的性能。
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- sil氮化硅
氮化硅晶片Si3N4 - 在半导体工业中，氮化硅层用作介电材料，钝化层或可以充当硬掩模面膜
...半导体晶圆。
数字累积TM值对先前的传感器有几个独特的优势：
- 测量是非触点，所以对于不应该触及的表面是理想的
- 可以执行高度精确的厚度测量，通常小于微米（.00004英寸）
- 用于半导体晶片测量的特殊介电操作模式提供了高精度的厚度测量
- 用户可调数字滤波/平滑可选择，20,000个样本/秒速率几乎会满足所有过程测量应用
- 易于校准以测量绝缘材料的厚度，而不知道测量材料的介电常数，如果有已知厚度的样品
- 直接读取厚度并将结果发送到运行MTI数字累加的标准PCTM值显示程序
同一程序有助于设置测量厚度所需的初始校准，以易于遵循的一些简单步骤。
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将GaAs晶片放置在电容探头和接地平面之间产生电容电路，可以分析以确定总厚度 |
设置很快和简单。只需确定探头的范围限制（通过调节高度，直到放大器上的指示灯刚刚旋转蓝色，然后在变红之前）并在第一样品厚度中输入零。按“校准”并在探头和接地平面之间放置已知厚度的晶片。现在将已知厚度进入第二个样品厚度并校准第二个样品。这已经存储了将用于测量所有剩余晶片的介电常数。
该数字累积TM值电容放大器也非常适合测量其他非导电商品，如塑料，玻璃，封闭的电池泡沫，纸张和橡胶。爱游戏ayxdota2MTI Instruments，Inc。提供多种款式和类型的非接触式传感器，可根据您的确切要求定制。如果您有困难的应用程序，请联系我们经验丰富的团队应用工程师谁将彻底分析您的要求，并指导您实现实用，经济高效的解决方案。