晶圆弓箭
计量系统的厚度测量
ASTM F657:
通过晶片在前后表面上的相应点之间的距离。厚度以微米或米尔(千分之一英寸)表示。
总厚度变化(TTV)
ASTM F657:
在扫描图案或一系列点测量期间遇到的厚度的最大值和最小值之间的差异。TTV以微米或米尔(千分之一英寸)表示。
上图显示了放置在两个非接触式测量探头之间的晶圆片。爱游戏信誉通过监测上探头面与上晶圆表面(A)和下探头面与下晶圆表面(B)之间的变化,可以计算厚度。首先,系统必须用已知厚度(Tw)。已知厚度的区域放置在探针和指向晶圆间隙(A)的上探针之间,并获得指向晶圆间隙(B)的下探针。然后计算上下探针之间的总间隙(Gtotal),如下所示:
G总= a + b + tw
随着系统的校准,未知厚度的晶圆片现在可以测量。当晶圆片被放置在探针之间时,获得一个新的值a和B。厚度计算如下:
Tw= G总- (A + B)
在晶片的自动扫描过程中,拍摄并存储一系列点测量。完成扫描后,TTV计算如下:
台= T马克斯- T.最小值
非接触式船首测量
ASTM F534 3.1.2:
自由的中音表面的中心点的偏差,从中值表面参考平面从等于圆形的圆形等间隔的三个点建立的中值表面参考平面,指定量小于晶片的标称直径。
面中位数:
晶圆片前后表面距离相等的点轨迹。在测量和计算晶圆片弯曲时,必须知道晶圆片中间面的位置。通过测量中间表面的偏差,消除了晶圆片中心点的局部厚度变化。
以上为两个探头面之间的晶圆中间面关系,其中:
- D =上探头脸部和下探头之间的距离
- A =上探头到晶圆片顶部表面的距离
- B =下探头到底晶圆表面的距离
- Z =晶片中间曲面之间的距离和上下探头和下探头之间的点(D / 2)
要在晶片上的任何位置确定z的值,有两个方程式:
Z= D/2 - A - T/2和Z= -D/2 + B + T/2
解决z的两个方程,可以简单地确定值:
Z = (B - A)/2
由于仅在晶片的中心点测量弓,因此计算围绕晶片边缘的三(3)点参考平面。然后通过测量晶片中心处的中值表面的位置并确定与参考平面的距离来计算弓的值。请注意,弓可以是正数或负数。正表示中值表面的中心点高于三点参考平面。否定表示中值的中心点低于三点参考平面。
太阳能行业翘曲测量
ASTM F1390:
未夹紧的晶圆片与参考点之间的最大和最小距离之差。像弓一样,翘曲是晶圆片中间面和参考面之间差异的量度。翘曲,然而,使用整个中间表面的晶片而不是在中心点的位置。通过查看整个晶圆,Warp提供了对真正的晶片形状的更有用测量。中间表面的位置完全按照弓形计算并显示在上面。对于翘曲测定,有两个选择参考平面的选择。一个是晶片边缘周围的三个点平面。另一种是通过执行在测量扫描期间获取的中值表面数据的最小二乘拟合计算。然后通过找到与参考平面的最大偏差(RPD)来计算经纱(RPD马克斯)和与参考平面的最小分化(RPD最小值)。RPD马克斯被定义为在参考平面之上的最大距离,并且是一个正数。RPD最小值为参考平面以下的最大距离,为负数。
上图是经度计算的图解。在这个例子中,RPDmax是1.5,显示为基准面上的中值面的最大距离。RPDmin为- 1.5,表示为中值面在参考面以下的最大距离。注翘曲值始终为正值。
Warp = 1.5 - (-1.5)= 3
它还说明了同时获取弓和经读数的用处。所示晶圆片中间面与参考面在晶圆片中心相交,因此,弓测量为零。计算的翘曲值在这种情况下更有用,因为它告诉用户晶圆片确实有形状不规则。