为什么SiC晶片的需求是炎热和耐用的
请原谅双关，但SiC晶片是高温应用的热门物品。硅氧烷（SiC），包含硅和碳化物的半导体，承受高达2700℃的温度。Carborundum，如此耐用的陶瓷也是已知的，在防弹背心，挤出模具，砂纸和高性能盘式制动器中找到额外的应用。在电子器件中，SiC材料配合发光二极管（LED）和探测器。在半导体行业中，兴趣是红热的市场，SiC晶片用于高温，高电压或两者的电子设备。例子包括电动车（EV）电力电子和5G通信系统。
带隙和导热率
有它宽带隙，碳化硅晶片可以承受高于硅的电压高达十倍，其击穿电压约为600V。硅（Si），一个长期的半导体，即集成电路（ICS）和光伏中使用的晶片的首选材料，具有1.12eV的带隙。砷化镓（GaAs）是太阳能电池中使用的半导体，具有1.42eV的带隙。相比之下，碳化硅具有3.26eV的带隙。SIC的更宽带隙还支持更快，更高效的开关和更小的设备。此外，碳化硅的较高的导热性允许更有效的热量运输，可以减少或消除电子设计中散热器的需求。
热抗冲击性
凭借其高导热率和低热膨胀，硅碳化硅也提供了卓越的抵抗力热冲击，瞬态机械负载由温度的快速变化引起。通常，当极端温度梯度达到一些但不是所有物体时，发生热冲击。由于这种温度差异，部分物体的部分膨胀和合同以不同的速率，可以导致断裂。与大多数半导体材料相比，SiC具有低导热率（最小3.8W / m.k）和高热膨胀（7.9至11 10-6/ k）。
物理，化学和电耐用性
碳化硅的物理耐用性通过其在非电子应用中的使用，例如防弹背心的板。关于温度耐久性，SiC不会升华到大约2700℃的气相中，这显着高于铁的熔点（约1500℃）。SiC也是化学惰性的，可以抵抗非常侵略性的化学品，如碱和熔盐，即使在高达800°C的高温下。利用其高能量带隙，SIC对高水平的电磁干扰和辐射的破坏性效果极大。
SiC晶片的应用
硅树脂的优越特性使其成为优选EV电力电子产品。应用包括板载DC / DC转换器，外壳DC快速充电器，板载电池充电器，EV电力电动局和LED汽车照明。除了高耐温性外，碳化硅还提供低功耗，刚性和对EV电力电子产品需要的更小的设计的支持。通过更大的功率密度和较高的热量，5g电子也使用SiC晶片。根据Cree Wolfspeed，SiC上的氮化镓（GaN）是“5G的光学溶液”。
SIC晶圆测量和检查
碳化硅的潜在客户仍然很热，耐用，但需求的增加可能导致组件缺陷，除非制造商安装适当的检查设备。这在研发（R＆D）期间尤为重要，其中对过程工具的良差验证可以显着降低产量。爱游戏ayxdota2MTI Instruments'Proforma 300isa.系统在尺度（最多20个晶圆上时）进行晶片检查，以便在卫星材料中增加。该半自动测量系统提供全水面扫描，用于厚度，总厚度变化（TTV），弓，位点，全球平整度等。为了
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